‘탄소나노튜브 플로팅 메모리 개발’ 국제학술지 표지 논문 게재 / 이용우 (대학원 전자공학부 16학번) 석박사 통합과정, 최성진 (전자공학부) 교수
국민대학교 대학원 전자공학부 반도체 소자 및 집적회로 연구실 (S!LK, 김동명 교수, 김대환 교수, 최성진 교수, 배종호 교수 공동 연구실)의 이용우 석박사 통합과정 (제1저자) 학생과 최성진 교수 (교신 저자)는 ‘탄소나노튜브 플로팅 메모리’를 제작하여, 저명 국제학술지인 ACS Applied Nano Materials 2022년 6월 24일자 논문의 표지 논문으로 발표되었다. (논문명: All-solution-processed carbon nanotube floating gate memories).
연구팀은 정제된 금속성 탄소나노튜브(metallic carbon nanotube)와 반도체성 탄소나노튜브(semiconducting carbon nanotube)를 분리추출한 용액을 사용하여 탄소나노튜브 기반의 플로팅 메모리를 제작하였다. 금속성 탄소나노튜브는 플로팅 메모리 소자의 전극과 전하저장소에 사용하고, 반도체성 탄소나노튜브는 메모리 소자의 채널 물질로 사용하여 제작된 탄소나노튜브 플로팅 메모리 소자의 우수한 스위칭 특성과 메모리 성능을 관찰하였다. 연구팀은 전하저장소에 사용된 금속성 탄소나노튜브의 밀도를 조절함으로써 메모리 성능의 변화가 가능함을 입증하고, 이를 통한 메모리 성능의 최적화 가능성을 제시하였다. 따라서 이번 연구는 향후 투명하고 유연한 탄소나노튜브 메모리 모듈의 응용 분야 연구에 필수적인 기반을 마련하였다는 데에 큰 의의가 있다. 연구 성과는 한국연구재단의 선도연구센터지원사업(ERC)과 중견연구사업의 지원으로 수행되었다.